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1. 개요
2. 상세
3. 반도체 제조 공정
4. 팹 목록


파일:CleanRoom_red.jpg
Fab / Semiconductor device fabrication

1. 개요[편집]


fabrication facility의 준말로 실리콘 웨이퍼 제조 시설을 뜻한다.


2. 상세[편집]


반도체 부품[1]을 생산하는 공장. 컴퓨터스마트폰 등의 핵심 부품(CPU, GPU, RAM 등)을 만든다. 반도체 생산을 위한 팹은 먼지와 소음, 자기장 등으로부터 완벽하게 보호돼야 한다. 공정이 미세화되다 보니 필연적으로 무균 시설이다. 규소 덩어리를 판 형태로 자르고, 잘 연마한 다음 바이러스만큼 작은 회로[2]를 심는 작업을 거친 뒤 테스트하고 출고하는 과정을 거친다.

대체로 회사를 지칭하기보단 개별 공장 시설을 뜻한다. 반도체 회사는 제조 공장을 직접 건설하고 운영할 수도 있지만[3], 때로 제조는 다른 회사에 맡기고 칩 설계만 하기도 한다.[4] 현재는 ASML에서 분광기를 독점하는 형태라 반도체 공정을 늘리기 위해선 개별 시설을 늘릴 수 없어서 회사 전체를 매입하는 의미로도 사용되곤 한다.

근래의 대부분의 반도체 업계는 이 팹을 갖지 않고 반도체의 설계 및 개발만 한 뒤 팹을 가진 회사에 반도체를 위탁생산하는 팹리스(fabless) 회사로 운영되며, 팹을 가진 파운드리 업체에게 생산을 맡기는 게 보편적이다. 대만TSMC가 대표적인 파운드리 업체로 세계 1위 업체로 알려져 있다.


3. 반도체 제조 공정[편집]


공정
이름[5]
노드
형태
출시
연도
트랜지스터인터커넥트
피치
트랜지스터 핀
밀도게이트 피치피치높이
10㎛정의1970
6㎛정의1974
3㎛정의1977
1.5㎛정의1982
1㎛정의1985
800㎚정의1989
600㎚정의1994
350㎚정의1995
250㎚정의1997
220㎚하프1999
180㎚정의1999
150㎚하프2001
130㎚정의2001
110㎚하프2004
90㎚정의2004
80㎚하프2006
65㎚정의2006
55㎚하프2007
45㎚정의2007
40㎚하프2008
32㎚정의2010
28㎚하프2012
22㎚정의2012
20㎚하프2014
14㎚정의2014?70㎚56㎚42㎚8㎚42㎚
10㎚정의2017?48㎚36㎚36㎚?42㎚
8㎚하프2019
7㎚정의2018?48㎚28㎚???
5㎚정의2020?42㎚24㎚???
3㎚정의2022


4. 팹 목록[편집]


SK하이닉스 반도체 팹, 어디까지 가봤니?삼성전자 반도체 팹, 어디까지 가봤니?를 참고하였다. 생산량은 월간 웨이퍼 장수로 나타내는 것이 관례이며, 특별한 언급이 없으면 300 mm 웨이퍼 기준이다.

회사위치이름생산 시작생산량생산 제품비고
SK하이닉스이천M10200522만D램/CISM10+M14=15만(D램), 2만(CIS)
M142015D램/낸드M10+M14=15만(D램), 5만(낸드)
M1620216만D램EUV
우시C2200619만D램C2+C2F=19만(D램)
C2F2019D램C2+C2F=19만(D램)
10만파운드리200 mm, 자회사 SK하이닉스시스템IC
청주M8파운드리/CIS200 mm, 자회사 SK하이닉스시스템IC
M11/M122008/20129만낸드
M1520186만낸드
10만파운드리200 mm, 자회사 키파운드리
다롄10만낸드자회사 솔리다임, 인텔에서 인수
삼성전자기흥6라인30만파운드리200 mm, 구 6라인+7라인+8라인
S115만파운드리구 9라인+14라인
오스틴S22011[6]10만파운드리
화성12라인낸드
13라인D램
15라인D램
16라인2011[7]D램
17라인2015[8]17만D램EUV(V1)
S3파운드리EUV(V1)
S4CIS구 11라인
시안1공장2014[9]21만낸드
2공장낸드
평택P12017[10]29만D램/낸드10만(D램), 19만(낸드)
P22020[11]D램/낸드/파운드리EUV(V2)



[1] 집적 회로[2] 흔히 n nm 공정이라 부르는 건 FET의 채널 길이가 n nm임을 뜻한다. TSMC의 경우 가장 작은 건 3nm 공정을 쓰는데, 이 정도 크기의 FET가 모여서 회로 하나를 구성하면 수백 nm 정도인 바이러스와 비슷한 크기가 될 것이다.[3] 인텔삼성전자가 대표적이다.[4] Apple, 퀄컴NVIDIA 등등 있다.[5] 여기 나오는 수치는 회로선폭, 또는 mosfet 채널 길이를 의미한다.[6] 삼성전자, 미국 오스틴 시스템LSI 라인 풀 가동 시작[7] 삼성전자, 세계 최대 규모 메모리 16라인 가동[8] 삼성전자 화성 반도체사업장 17라인 본격 가동[9] 삼성전자, 중국 시안(西安) 반도체 공장 본격 가동[10] 삼성전자, 세계 최대 규모 평택 반도체 라인 가동[11] 삼성전자, 세계 최대규모 평택 2라인 가동